最大110GHz的超寬帶性能
沒有共振，可以進行出色的群延遲變化
在傳輸模式下，憑借出色的抗阻匹配，實現(xiàn)極低的插入損耗
在旁路接地模式下，ESL和ESR很低
對于溫度、電壓、老化，靜電容量值的穩(wěn)定性很高
高可靠性
可以進行無鉛回流封裝
（詳情見本公司的封裝應(yīng)用說明）
用途
光電產(chǎn)品／高速數(shù)據(jù)
跨阻放大器（TIA）
光收發(fā)組件（ROSA/TOSA）
同步光纖網(wǎng)絡(luò)（SONET）
高速數(shù)字邏輯
寬帶測試裝置
寬帶微波／毫米波
X7R與NP0電容器的置換
要求薄型的用途（100μm）
| 參數(shù) | 值 |
|---|---|
| 靜電容量范圍 | 1nF to 100nF (*) |
| 靜電容量容差 | ±15% (*) |
| 工作溫度范圍 | -55°C to 150°C |
| 保管溫度范圍 | -70°C to 165°C (*2) |
| 溫度系數(shù) | +60 pmm/K |
| 擊穿電壓 (BV) | 11VDC or 30VDC |
| 相對于RVDC的靜電容量變化 | 0.1%/V (from 0 to RVDC) |
| 60GHz以下的插入損耗 (IL) | <0.4dB (*3) |
| 60GHz以下的反射損耗 (RL) | >20dB (*3) |
| 等效串聯(lián)電感 (ESL) | 代表值500pH (*3) @ SRF |
| 等效串聯(lián)電阻 (ESR) | 代表值100mΩ (*3) |
| 絕緣電阻 | 100nF的商品 100GΩ（25℃，施加RVDC，120秒后） |
| 老化 | 微小，<0.001%/1000h |
| 可靠性 | FIT<0.017個/10億小時 |
| 電容器厚度 | Max 100μm |
(*) 也能根據(jù)客戶要求提供其他的規(guī)格值
(*2) 包裝材料除外
(*3) 示例：UBEC 10nF/0201M/BV 11V
| UBEC.xxx | 支持60GHz+的嵌入/引線鍵合用硅電容器 | |||
|---|---|---|---|---|
| 品名 | 靜電容量 | BV | 外殼尺寸 | 厚度 |
| 935157725410-xxA | 1nF | 30V | 0201M | 100μm |
| 935157725456-xxA | 5.6nF | 30V | 0201M | 100μm |
| 935157425510-xxA | 10nF | 11V | 0201M | 100μm |
| 935157421610-xxA | 100nF | 11V | 0404 | 100μm |
| BBEC.xxx | 支持40GHz的嵌入/引線鍵合用硅電容器 | |||
|---|---|---|---|---|
| 品名 | 靜電容量 | BV | 外殼尺寸 | 厚度 |
| 939132421610-xxA | 100nF | 11V | 0404 | 100μm |
| ULEC.xxx | 支持20GHz的嵌入/引線鍵合用硅電容器 | |||
|---|---|---|---|---|
| 品名 | 靜電容量 | BV | 外殼尺寸 | 厚度 |
| 935158421610-xxA | 100nF | 11V | 0404 | 100μm |
