ON達(dá)林頓晶體管
隨著封裝變得越來(lái)越小,為電源應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高效的熱性能要求設(shè)計(jì)人員采用新的方法來(lái)改善器件的熱流。因此,本文的目的是幫助用戶最大化SuperSOTTM-3(SOT-23)的功率處理能力。 )飛兆半導(dǎo)體提供的PowerMOSFET。這項(xiàng)工作使用戶可以充分利用飛兆半導(dǎo)體最先進(jìn)的功率MOSFET的卓越性能特性,該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和改進(jìn)的結(jié) - 焦點(diǎn)(RθJC)熱阻。最后,用戶可以通過(guò)使用下面提出的散熱解決方案來(lái)提高元件性能和更高的電路板封裝密度。在自然冷卻中,提高功率性能的方法應(yīng)該集中在銅安裝焊盤的最佳設(shè)計(jì)上。設(shè)計(jì)應(yīng)考慮銅的尺寸及其在一個(gè)或兩個(gè)板表面上的位置。銅安裝墊非常重要,因?yàn)楣β蔒OSFET的漏極引線直接安裝在焊盤上。墊起到散熱器的作用,可降低熱阻,從而提高動(dòng)力性能。
圖1. SuperSOTTM-3功率MOSFET具有與SOT-23相同的封裝尺寸,但最大化的銅引線框架將結(jié)至外殼的熱阻RθJC降低至75oC / W。
ON達(dá)林頓晶體管