霍爾芯片的工作原理

霍爾芯片使用的是霍爾效應(yīng)半導(dǎo)體。

所謂的霍爾芯片是指當(dāng)磁場(chǎng)作用于載流金屬導(dǎo)體和半導(dǎo)體中的載流子時(shí)的橫向電位差的物理現(xiàn)象。 1879年，美國(guó)物理學(xué)家霍爾發(fā)現(xiàn)了金屬的霍爾效應(yīng)。當(dāng)電流通過(guò)箔時(shí)，如果垂直于電流施加磁場(chǎng)，則在箔的兩側(cè)將出現(xiàn)橫向電位差。半導(dǎo)體中的霍爾效應(yīng)比金屬箔中的霍爾效應(yīng)更明顯，而鐵磁金屬在居里溫度以下表現(xiàn)出強(qiáng)烈的霍爾效應(yīng)。

根據(jù)霍爾開(kāi)關(guān)的傳感方法，它們可分為：雙極霍爾芯片     單極霍爾芯片??全極霍爾芯片。

霍爾芯片是基于霍爾效應(yīng)的磁傳感器。它們可用于檢測(cè)磁場(chǎng)及其變化，并可用于與磁場(chǎng)相關(guān)的各種應(yīng)用。

霍爾芯片具有結(jié)構(gòu)堅(jiān)固，體積小，重量輕，壽命長(zhǎng)，安裝方便，功耗低，頻率高（可達(dá)1MHZ），抗振動(dòng)，不怕灰塵，油污，水蒸氣和鹽霧等優(yōu)點(diǎn)。受污染或腐蝕。

霍爾芯片器件精度高，線性度好;霍爾開(kāi)關(guān)器件沒(méi)有接觸，沒(méi)有磨損，輸出波形清晰，沒(méi)有抖動(dòng)，沒(méi)有反彈，高位置可重復(fù)性（高達(dá)μm級(jí)），并且使用各種補(bǔ)償。而保護(hù)措施，霍爾芯片具有-55°C~150°C的高工作溫度范圍