低電壓工作兩極/單極檢測型 霍爾效應(yīng)開關(guān)IC
SEIKO精工S-5712由CMOS技術(shù)開發(fā)，是一種高精度的霍爾效應(yīng)開關(guān)IC，可在低電壓和低電流消耗下工作。 SEIKO精工S-5712檢測到磁通密度的強(qiáng)度水平時，輸出電壓發(fā)生變化。 將此IC與磁鐵配合使用，可以檢測各種設(shè)備的開/關(guān)。SEIKO精工S-5712有兩種封裝來實(shí)現(xiàn)高密度的安裝分別是SOT-23-3封裝和更加小型的SNT-4A封裝。 而且電流消耗低，該IC適用于電池供電的便攜式設(shè)備。 而且，由于其高精度的磁特性，該IC可以使與磁體結(jié)合的系統(tǒng)中的操作分散較小。
? 極性檢測*1 : 檢測兩極、檢測S極、檢測N極
? 輸出邏輯*1 : 動態(tài) "L"、動態(tài) "H"
? 輸出方式*1 : N溝道開路漏極輸出、CMOS輸出
? 電源電壓范圍 : VDD = 1.6 V ~ 3.5 V
? 工作溫度范圍 : Ta = -40°C ~ 85°C
? 磁氣靈敏度*1 : BOP = 1.8 mT (典型值)
BOP = 3.0 mT (典型值)
BOP = 4.5 mT (典型值)
BOP = 7.0 mT (典型值)
? 驅(qū)動周期 (消耗電流) *1 : 檢測兩極產(chǎn)品 tCYCLE = 5.70 ms (IDD = 12.0 μA) (典型值)
tCYCLE = 50.50 ms (IDD = 2.0 μA) (典型值)
tCYCLE = 204.10 ms (IDD = 1.0 μA) (典型值)
SEIKO精工S-5712封裝SOT-23-3
N溝道開路漏極輸出產(chǎn)品
S-5712ANDL0-M3T1U S-5712ANDL1-M3T1U
S-5712ANDL2-M3T1U S-5712ANSL1-M3T1U
S-5712ANSL2-M3T1U S-5712ANSH1-M3T1U
S-5712BNDL2-M3T1U S-5712BNDH2-M3T1U
CMOS輸出產(chǎn)品
S-5712ACDL1-M3T1U S-5712ACDL2-M3T1U
S-5712ACDH1-M3T1U S-5712ACSL2-M3T1U
S-5712ACSL1-M3T1U S-5712ACDH2-M3T1U
S-5712CCSL1-M3T1U S-5712ACNL2-M3T1U
S-5712ACNL1-M3T1U S-5712CCDL1-M3T1U
SEIKO精工S-5712封裝SNT-4A
N溝道開路漏極輸出產(chǎn)品
S-5712ECSL2-I4T1U S-5712ECSL3-I4T1U
S-5712ANDL0-I4T1U S-5712ANDL1-I4T1U
S-5712ANDL2-I4T1U S-5712ANSL1-I4T1U
S-5712ANSL2-I4T1U S-5712BNDL2-I4T1U
S-5712BNDH2-I4T1U
CMOS輸出產(chǎn)品
S-5712ACDL0-I4T1U S-5712ACDL1-I4T1U
S-5712ACDL2-I4T1U S-5712ACDL3-I4T1U
S-5712ACDH1-I4T1U S-5712ACDH2-I4T1U
S-5712ACSH1-I4T1U S-5712CCDL1-I4T1U
S-5712CCSL1-I4T1U S-5712BCDL2-I4T1U
S-5712CCNL1-I4T1U S-5712BCDH1-I4T1U
S-5712CCDH1-I4T1U S-5712ACSL1-I4T1U
S-5712BCSL2-I4T1U S-5712ACSL2-I4T1U
S-5712BCDL1-I4T1U S-5712ACNL1-I4T1U
S-5712BCDH2-I4T1U S-5712ACNH1-I4T1U
S-5712ACSH2-I4T1U S-5712ACNL2-I4T1U
S-5712ACNL3-I4T1U
