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磁傳感器高靈敏度銻化銦( InSb )霍爾效應傳感器IC芯片元件
2020-08-18 11:44:22
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磁傳感器高靈敏度銻化銦( InSb )霍爾效應傳感器IC芯片元件
由銦和銻構成的重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料。 因為其熔點低，熔點時的離解凍小，所以50年代制造了單晶體。
銻化銦( InSb )是一種研究迅速、研究深入的Ⅲ-Ⅴ族半導體材料。 其晶體呈銀色脆、閃鋅礦結構，晶格常數(shù)為6.48?，禁帶寬窄：0.18eV，電子遷移率高達：7800cm2/V·s，可用于紅外探測器、光磁探測器和Hall器件的制備。 銻化銦的熔點為525℃，與其他Ⅲ-Ⅴ族化合物相比，生長單晶提純都非常簡易，因此多為Ⅲ-Ⅴ族化合物的固體理論研究時選擇的對象。
銻化銦InSb單晶電子遷移率高，是非常好的霍爾元件、紅外探測元件、磁阻元件的襯底材料。 例如，與大氣透過窗對應的3~5μm頻帶的攝像元件或InSb焦平面陣列元件。 在電荷注入裝置中，銻化銦InSb裝置的位數(shù)已達到128×128陣列。 3~5μm頻帶的InSb光伏檢測器，作為傳感器元件構成的混合焦平面陣列也大幅發(fā)展，制作元數(shù)多的二維陣列。
銻化銦( InSb )
分子式：InSb
分子量：236.578
熔點：535℃
密度：5.76g/cm3
制備：銻和銦的化合物。金屬銻和銦在高溫熔合而得。具閃鋅礦型結構的晶體。
銻化銦( InSb )霍爾元件
