DIODES雙極晶體管
由兩個背對背PN組成的晶體管,以獲得電壓、電流或信號增益。點接觸晶體晶體管起源于1948年,在20世紀50年代早期發(fā)展成為結型晶體管,現(xiàn)在稱為雙極型晶體管。雙極晶體管有兩種基本結構:PNP型和NPN型。在這三層半導體中,中間層稱為基極區(qū),外層分別稱為發(fā)射極和集電極。當少量電流注入基極區(qū)時,在發(fā)射區(qū)和集電極區(qū)之間會形成大電流,這是晶體管的放大效應。
DIODES雙極晶體管
DIODES雙極晶體管
由兩個背對背PN組成的晶體管,以獲得電壓、電流或信號增益。點接觸晶體晶體管起源于1948年,在20世紀50年代早期發(fā)展成為結型晶體管,現(xiàn)在稱為雙極型晶體管。雙極晶體管有兩種基本結構:PNP型和NPN型。在這三層半導體中,中間層稱為基極區(qū),外層分別稱為發(fā)射極和集電極。當少量電流注入基極區(qū)時,在發(fā)射區(qū)和集電極區(qū)之間會形成大電流,這是晶體管的放大效應。
DIODES雙極晶體管