Diodes金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管

Diodes金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管普遍稱為金氧半場(chǎng)效應(yīng)晶體管，金氧半場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一款廣泛用于數(shù)字電路和模擬的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效應(yīng)晶體管；英文：金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱：MOSFET)是一種能廣泛應(yīng)用于模擬和數(shù)字電路的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。根據(jù)溝道極性的不同，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOFET）可分為以電子為主的N溝道型和以空穴為主的P溝道型。它們通常被稱為N型金氧半場(chǎng)效應(yīng)晶體管（nmosfets）和P型金氧半場(chǎng)效應(yīng)晶體管（pmosfets）。

根據(jù)金氧半場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的名稱，它實(shí)際上給人的印象是錯(cuò)誤的。因?yàn)閙osfet和英語(yǔ)單詞“metal”的第一個(gè)字母m不存在于大多數(shù)同類(lèi)的當(dāng)前組件中。最初的金氧半場(chǎng)晶體管柵采用金屬為材料，但由于多晶硅在工作中更耐高溫，許多金氧半場(chǎng)晶體管柵采用的是后者而不是前者。隨著半導(dǎo)體特性尺寸的縮小，金屬作為柵極材料近年受到了研究者的大量關(guān)注。

金氧場(chǎng)效應(yīng)晶體管在概念上是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGFET)。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵絕緣層可以是其他材料，而不是“497”半場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用的氧化層。有些人更喜歡使用IGFET，當(dāng)提到場(chǎng)效應(yīng)晶體管組件與多晶硅柵，但這些IGFET大多數(shù)指的是金氧半場(chǎng)晶體管。

金氧半場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的氧化物層位于其通道上方。根據(jù)其工作電壓，氧化層的厚度從數(shù)十到數(shù)百個(gè)不等。通常，這種材料是二氧化硅。然而，一些先進(jìn)的工藝，如氮化硅（SiON）已被用作氧化層。

今天，硅通常是半導(dǎo)體元件的首選材料，但一些半導(dǎo)體公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出使用其他半導(dǎo)體材料的工藝。其中最著名的是硅鍺工藝(SiGe工藝).由國(guó)際商業(yè)機(jī)械有限公司開(kāi)發(fā)，采用硅鍺混合物。不幸的是，許多具有良好電性能的半導(dǎo)體材料，如砷化鎵，不能用于制造“497”半場(chǎng)效應(yīng)晶體管元件，因?yàn)樗鼈儾荒茉诒砻嫔L(zhǎng)出高質(zhì)量的氧化物層。

當(dāng)柵與金氧半場(chǎng)晶體管的源之間施加足夠大的電位差時(shí)，電場(chǎng)在氧化層下方的半導(dǎo)體表面形成感應(yīng)電荷，然后形成反向通道(反轉(zhuǎn)通道)。已經(jīng)形成了。通道的極性與其漏極和源極性相同。如果排水管和水源為N型，則通道也將為N型。形成溝道后，"金氧"半場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以允許電流通過(guò)，并且根據(jù)施加到柵極的電壓值，通過(guò)"金氧"半場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道的電流也可以由其控制。