磁阻效應(yīng)砷化鎵（GaAs）霍爾傳感器元件IC芯片

于1964年砷化鎵進(jìn)入實(shí)用階段?？梢詫⑸榛壷瞥呻娮杪时裙韬玩N高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上的半絕緣高阻材料，可用于制造集成電路基板，紅外探測(cè)器由于它的電子遷移率是硅的5-6倍，因此它已被重要地用于制造微波設(shè)備和高速數(shù)字電路。由砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高溫，高頻，低噪音，低溫性能，抗輻射能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。另外，它還可以用于制造轉(zhuǎn)移裝置-體效應(yīng)裝置。砷化鎵是具有許多優(yōu)點(diǎn)的半導(dǎo)體材料。但是，用它制成的晶體管放大率小且導(dǎo)熱性差，因此不適合制造大功率器件。盡管砷化鎵具有優(yōu)越的性能，但由于它在高溫下會(huì)分解，因此在技術(shù)上要求生長(zhǎng)具有理想化學(xué)比的高純度單晶材料。

砷化鎵（GaAs）霍爾器件是一種電磁轉(zhuǎn)換磁敏器件，廣泛應(yīng)用于電子，汽車(chē)，測(cè)量等許多領(lǐng)域。它是半導(dǎo)體磁傳感器中最成熟，生產(chǎn)力最高的產(chǎn)品。隨著信息家電，計(jì)算機(jī)，汽車(chē)電子，無(wú)刷電動(dòng)機(jī)等行業(yè)的發(fā)展，對(duì)霍爾元器件的需求已大大增加。 GaAs霍爾器件具有以下優(yōu)點(diǎn)：出色的溫度特性，良好的輸出電壓線性度，高輸入阻抗和低失調(diào)率。

磁阻效應(yīng)砷化鎵霍爾傳感器具有比普通霍爾傳感器更高的靈敏度和更小的體積（GaAs霍爾傳感器可以制成薄膜形式）。目前，磁阻效應(yīng)廣泛應(yīng)用于磁傳感，磁力計(jì)，電子羅盤(pán)，位置和角度傳感器，車(chē)輛檢測(cè)，GPS導(dǎo)航，儀器儀表，磁存儲(chǔ)（磁卡，硬盤(pán)）等領(lǐng)域。