銻化銦（InSb）砷化鎵（GaAs）砷化銦（InAs）硅（Si）霍爾元件有什么區(qū)別如何選型？

霍爾元件由不同的半導(dǎo)體薄膜材料組成：由銻化銦（InSb）制成的超靈敏霍爾元件，由砷化銦（InAs）制成的高靈敏度霍爾元件和由砷化鎵（GaAs）制成的低漂移霍爾元件。但由于其靈敏度低，因此在表中所示的產(chǎn)品線中并未將其用作霍爾元件。硅（Si）是常見的霍爾元件材料之一，霍爾IC中使用硅。霍爾元件的靈敏度與半導(dǎo)體材料的遷移率成正比。溫度特性受多種因素影響，但主要由帶隙決定。

表1列出了當(dāng)前用作霍爾元件的主要半導(dǎo)體材料及其獨(dú)特特性。

溫度特性和輸出電壓的靈敏度因霍爾元件的材料而異。用戶應(yīng)選擇適合其特定應(yīng)用的霍爾元件。各種霍爾元素類型的特征如下：

? InSb：在三種霍爾元件類型中最敏感。

? GaAs：在三種霍爾元件類型中最穩(wěn)定的溫度特性。

? InAs：該霍爾元件在靈敏度和溫度特性之間具有良好的平衡。

圖顯示了使用恒定電流驅(qū)動(dòng)且控制電流相同（IC = 5mA）的3種霍爾元件的輸出電壓特性。

圖顯示了使用恒定電壓驅(qū)動(dòng)且控制電壓相同（VC = 1V）的三種霍爾元件的輸出電壓特性。